Thermische Charakterisierung bei GaN-HEMTs meistern

GaN-HEMTs in moderner Leistungselektronik einsetzen.

Dieses Whitepaper beleuchtet die Herausforderungen und Lösungen bei der thermischen Charakterisierung von GaN-HEMTs, einer Schlüsseltechnologie für effiziente und kompakte Leistungselektronik. Entdecken Sie, wie Simcenter Micred innovative Ansätze für Testing und Zuverlässigkeitsanalysen bietet, um die Vorteile von GaN-Technologien voll auszuschöpfen.

• Verbesserte Testmethoden für GaN-HEMTs: Innovative Ansätze für präzise thermische transienten Tests.

• Optimale Wärmeableitung: Ermittlung der Wärmeimpedanz und Optimierung der thermischen Resistenz.

• Innovative Technologien: Anpassung traditioneller Charakterisierungsverfahren für Wide-Bandgap-Materialien (wie GaN) an die spezifischen Anforderungen.

• Höhere Zuverlässigkeit: Erkenntnisse zur Betriebssicherheit unter Hochleistungsbedingungen.

• Praktische Testlösungen: Nutzung der Vorteile des Simcenter Micred für akkurate Messungen und Analysen.